晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出世界上*晶閘管產品，并于1958年使其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示。

        晶閘管屬于硅元件，很多人也稱它為“可控硅”。硅元件的普遍特性是過載能力差，因此在使用過程中經常會發生燒壞晶閘管的現象。

        晶閘管燒壞都是由溫度過高造成的，而溫度是由晶閘管的電特性、熱特性、結構特性決定的，因此保證晶閘管在研制、生產過程中的質量應從三方面入手：電特性、熱特性、結構特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產晶閘管時應充分考慮其電應力、熱應力、結構應力。燒壞晶閘管的原因很多，總的說來還是三者共同作用下才致使晶閘管燒壞的，某一單獨的特性下降很難造成品閘管燒壞，因此我們在生產過程中可以充分利用這個特點，就是說如果其中的某個應力達不到要求時可以采取提高其他兩個應力的辦法來彌補。

        從晶閘管的各相參數看，經常發生事故的參數有：電壓、電流、dv／dt、di／dt、漏電、開通時間、關斷時間等，甚至有時控制極也可燒壞。由于晶閘管各參數性能的下降或線路問題會造成晶閘管燒損，從表面看來每個參數所造成晶閘管燒損的現象是不同的，因此通過解剖燒損的晶閘管就可以判斷出是由哪個參數造成晶閘管燒壞的。

        一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管的原因有兩中可能，一是晶閘管電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產生了過電壓，且對晶閘管所采取的保護措施失效。

        晶閘管因為其特性導致比較容易出現損壞現象，因此我們在選購過程中，應由其注意這方面的問題，關于晶閘管的相關知識，后續我們將繼續為大家進行介紹。