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Cassification
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小
2024-01-19
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北京京誠宏泰科技有限公司代理英飛凌igbt模塊FF800R12KF4
2024-01-19
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北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應IGBT模塊 英飛凌IGBT模塊FD400R12KE3
2023-05-09
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三菱IGBT模塊CM200DC1-24NFM焊機IGBT
2024-01-19
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三菱IGBT模塊CM150DC1-24NFM焊機IGBT
2024-01-19
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