英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4

北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；IPM模塊

產品參數：

FF600R12KE4  IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM 雙低飽和和快速溝槽 IGBT 模塊，

帶有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和發射極控制的 7 二極管。

62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊，采用TRENCHSTOP™ IGBT7和發射極控制第7代二極管。也可提供預涂導熱介質版本。

產品規格：

IGBT 類型：溝槽型場截止

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)：600 A

電流 - 集電極截止：100 µA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：AG-62MM

產品特征：

高功率密度

的 VCE，SAT

Tvj op = 175°C 過載

高爬電距離和電氣間隙

符合 RoHS 標準

4 kV AC 1 分鐘絕緣

CTI > 400 的封裝

通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證

優勢：北京京誠宏泰科技有限公司供應英飛凌IGBT模塊FF600R12KE4

具有更高電流能力的現有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

高功率密度

避免 IGBT 模塊并聯

通過簡化逆變器系統降低系統成本

靈活性

高的可靠性

產品應用領域：

不間斷電源（UPS）

儲能系統

電機控制和驅動

商用、建筑和農用車輛 (CAV)

變頻器

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

優點：熱穩定性好、安全工作區大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊FF600R12KE4

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應用

電動機

不間斷電源

太陽能面板安裝

電焊機

電源轉換器與反相器

電感充電器

電磁爐

第七代IGBT型號：

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ _B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ _B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ _B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7

F3L400R10W3S7F_ B11

F3L600R10W4S7F_ C22

FS3L200R10W3S7F_ B94

F3L 400R10W3S7_ _B11

FS3L200R10W3S7F_ B11

FP15R12W1T7_ B3

FP15R12W1T7

FP15R12W1T7P_ B11

FP25R12W2T7

FP50R12W2T7_ B11

FP25R12W1T7

FP50R12W2T7

FP35R12W2T7_ B11

FP10R12W1T7_ B11

FP35R12W2T7

FP25R12W1T7_ B11

FP25R12W2T7_ B11

FP15R12W1T7_ _B11

FP10R12W1T7_ B3

FP15R12W1T7P

FP100R12W3T7 B11