北京京誠宏泰科技有限公司供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊CM800HA-50H晶體管
優點：熱穩定性好、安全工作區大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。

軌道車輛中廣泛采用IGBT模塊構成牽引變流器以及輔助電源系統的恒壓恒頻（CVCF）逆變器。國外的地鐵或輕軌車輛輔助系統都采用方案多樣的IGBT器件。
動車組中，主變流器的開關使用耐壓高達6500V／600A的IGBT器件，輔助變流器采用開關頻率為1950Hz的PWM技術，由3臺雙IGBT和相關反并聯二極管組成，每臺雙IGBT組成三相中的一相

三菱電機基于高可靠性、高魯棒性及低損耗設計了X系列HVIGBT，在H系列和R系列相同封裝的基礎上，進一步擴展了電流等級。

X系列HVIGBT芯片采用了表面電荷控制(SCC)技術，該技術使HVIGBT模塊具有出色的濕度魯棒性，如圖11.14所示。在傳統結構中，由于芯片終端覆蓋有絕緣層，因此沒有釋放表面電荷的路徑。然而，在采用SCC技術的終端結構中，表面電荷可以通過半絕緣層泄放，表面電荷不會對芯片終端電場產生不利影響。因此，即使有凝露，也能保持優良的阻斷電壓特性。北京京誠宏泰科技有限公司

X系列HVIGBT利用了第7代芯片的優勢，IGBT采用了CSTBT (III)（Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor）芯片技術，續流二極管采用RFC (Relaxed Field of Cathode)結構。這兩種芯片技術可以實現通態損耗、開關損耗的降低和增強的開關性能，同時擴展了魯棒性、低損耗和SOA這三項技術邊界。其飽和壓降和反并聯二極管的正向壓降與H系列HVIGBT相比北京京誠宏泰科技有限公司

對于動車組，推薦的HVIGBT型號如下：

供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H

對于地鐵或輕軌，推薦的HVIGBT型號如下

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不同于機車與動車組，地鐵或輕軌站與站之間的距離較短，牽引變流器需要不斷的啟停，對HVIGBT模塊來說，結溫和殼溫的溫度波動循環更多。因此除了高可靠性要求外，還需要HVIGBT具有足夠的壽命，滿足牽引變流器的壽命設計要求。北京京誠宏泰科技有限公司

與前幾代相比，X系列使用高溫焊料進行芯片連接。此外，除了金屬化陶瓷基板的改進，用于將基板連接到底板的焊料也得到了改進。最后，采用改進的凝膠材料進一步提高了功率循環能力。與前一代相比，新封裝技術使功率循環能力提高了2.7倍

CM1200HC-50H除了IGBT外，該模塊還包括集成式(集成的)門驅動電路，以及檢測和防止過流、過壓、過熱和門驅動電壓不足(門極驅動欠壓)等故障的電路。

HVIPM（High Voltage Inligent Power Module）為了進一步發揮IGBT芯片的性能，采用的驅動電路，是將自我保護（過電流、控制電源電壓降低、過熱）功能等實現IC化的高性能模塊。為大容量變換器裝置的小型化和節能化貢獻力量，作為IPM，產品陣容中的zui大額定值達到3.3kV/1.2kA北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊CM800HA-50H

IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制動模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業解決方案的產業鏈供應商。

專業銷售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、

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Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板

產品屬性	屬性值	搜索類似
制造商:	Misubsh Elecric
產品種類:	IGBT 模塊
供應商：	北京京誠宏泰科技有限公司
RoHS:	N
產品:	IGBT Silicon Modules
配置:	Triple
集電極—發射極電壓 VCEO:	1700 V
集電極—射極飽和電壓:	3.45 V
在25 C的連續集電極電流:	800 A
柵極—射極漏泄電流:	0.5 uA
Pd-功率耗散:	11300 W
封裝 / 箱體:	Module
工作溫度:	- 40 C
工作溫度:	+ 125 C
封裝:	Bulk
商標:	Misubih Electc
柵極/發射極電壓:	20 V
安裝風格:	SMD/SMT
產品類型:	IGBT Modules
系列:	CM800HA-50H
	2
子類別:	IGBTs
技術:	Si

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供應三菱鐵路機車IGBT模塊CM800HA-50H
三菱大功率IGBT模塊
2500V高壓IGBT模塊CM1200HC-50H
3300V高壓IGBT模塊CM1200HB-66H
HVIPM模塊PM1200HCE330-1

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