FUJI富士IGBT模塊6MBI75S-120-50，N通道 IGBT 模塊發射極-集電極、六（3x雙）, 100A 1200V,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。

產品型號：6MBI75S-120-50
廠商性質：經銷商
更新時間：2024-01-19
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北京京誠宏泰科技原裝正品銷售FUJI富士IGBT模塊6MBI75S-120-50 ；N通道 IGBT 模塊發射極-集電極、六（3x雙）, 100A 1200V, 21針 M626封裝

zui大功率耗散   520 W
   zui大柵極發射極電壓   ±20V
   zui大連續集電極電流   100 A
   zui大集電極-發射極電壓   1200 V
   zui高工作溫度   +150 °C
   通道類型   N
   配置   發射極-集電極、六（3x雙）
   長度   122mm
   高度   17mm

日本富士 IGBT模塊 6單元600V系列：
6MBI10L-060	6MBI15L-060	6MBI20L-060	6MBI30L-060
6MBI10F-060	6MBI15F-060	6MBI20F-060	6MBI30F-060
6MBI10N-060	6MBI15N-060	6MBI20N-060	6MBI30N-060
6MBI50L-060	6MBI75L-060	6MBI100L-060	6MBI15LS-060
6MBI50F-060	6MBI75F-060	6MBI100F-060	6MBI40SS-060-01
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6MBI30FA-060	6MBI50FA-060	6MBI60FA-060	6MBI75FA-060
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6MBI100J-060	6MBI150FB-060	6MBI100U2B-060	6MBI150U2B-060
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日本富士 IGBT模塊 6單元1200V系列：
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