富士IGBT-PIM模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）富士IGBT-PIM模塊組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

產品型號：7MBR35SB120
廠商性質：經銷商
更新時間：2024-01-19
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　　富士IGBT-PIM模塊

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　　日本富士S系列IGBT-PIM功率模塊7MBR35SB120由6單元IGBT 剎車電路三相整流橋構成；VCES=1200V;IC=35A

富士IGBT-PIM功率模塊(整流逆變制動)：

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